Bitget App
Trade smarter
Acquista CryptoMercatiTradingFuturesEarnPlazaAltro

Notizie

Rimani aggiornato sulle ultime tendenze crypto grazie alla nostra copertura esperta e dettagliata.

banner
Flash
00:37
Il mercato azionario sudcoreano cala del 2% scendendo sotto i 7.500 punti, in calo di oltre 1.900 punti rispetto al massimo storico!
Golden Longhui, 3 luglio — SK Hynix è rapidamente scesa, ampliando il calo al 3,5%.
00:36
ENS DAO chiude il gruppo di lavoro per i prodotti pubblici, l'ultimo round di finanziamenti è stato erogato
Secondo quanto riportato da The Defiant, il gruppo di lavoro sui beni pubblici di ENS DAO è stato ufficialmente chiuso dopo quattro anni e mezzo di attività. La responsabile del gruppo, Simona Pop, ha annunciato la notizia sulla piattaforma X. Nell’ultimo round di finanziamento, il gruppo ha fornito 450.000 USDC e 72,5 ETH (pari a circa 123.000 dollari) a progetti come Vyper, Argot Collective e Remix Labs. In particolare, il totale del finanziamento strategico è stato di 375.000 USDC, cofinanziato con la Ethereum Foundation secondo un rapporto di circa 1:1,2. Simona Pop ha affermato che ENS dispone di uno dei più grandi tesori del settore crypto; la chiusura del gruppo di lavoro ha rappresentato un’occasione mancata per diventare ciò che Vitalik Buterin definisce “eroi dell’ecosistema”.
00:34
L'indice Nikkei 225 è sceso dell'1,23% all'inizio della sessione, mentre le azioni del titolo di memoria Kioxia sono crollate del 10,75%.
Secondo quanto riportato da BlockBeats il 3 luglio, dai dati di mercato di Bitget, l'indice Nikkei 225 è sceso dell'1,23% nelle prime contrattazioni, mentre il titolo Kioxia nei settori dello storage ha registrato un forte calo del 10,75%. Oggi Kioxia ha annunciato di aver iniziato la distribuzione dei primi sample di dispositivi di memoria a tre celle da 1TB che utilizzano la sua decima generazione di tecnologia BiCS FLASH 3D NAND. Kioxia Holdings Corporation (Kioxia, ex divisione storage di Toshiba) e SanDisk collaborano da tempo allo sviluppo della tecnologia BiCS FLASH 3D NAND; dal lancio del prototipo nel 2007 si è arrivati alla decima generazione, con il focus sull'aumento del numero di strati verticali, l'ottimizzazione della densità dati e l'equilibrio dell'efficienza energetica, per soddisfare la crescente domanda di capacità elevata e prestazioni nei settori dell'AI, data center e SSD enterprise.
Notizie