Samsung avanza nella tecnologia di processo avanzato: il rendimento dei 2 nanometri supera il 60%, obiettivo 1 nanometro entro il 2030

Samsung sta portando avanti con determinazione la propria strategia per i processi produttivi avanzati dei semiconduttori: il rendimento dei 2 nm ha superato il 60% e ha fissato come prossimo obiettivo quello di introdurre il processo a 1 nm entro il 2030, puntando a ridurre il divario con TSMC nel mercato delle fonderie di fascia alta.

Secondo quanto riportato da "The Korea Economic Daily", citando fonti ben informate, la divisione fonderia di Samsung ha stabilito chiaramente che l’introduzione del processo a 1 nm avverrà nel 2030, quando verrà implementata la nuova architettura forksheet. Contestualmente, il rendimento produttivo dei 2 nm ha già superato il 60%, segnando un notevole miglioramento dell’efficienza produttiva. L’opinione comune è che l’attività di fonderia della compagnia possa raggiungere la redditività già quest’anno.

L’incremento del rendimento ha rafforzato direttamente la fiducia del mercato nella divisione foundry di Samsung. Il report rivela inoltre che Samsung ha sviluppato il processo customizzato SF2T per il chip AI da 2 nm di Tesla, "AI6", la cui produzione di massa è prevista per il 2027 nel nuovo stabilimento di Taylor, Texas, consolidando ulteriormente il portafoglio clienti di alto profilo.

Nel frattempo, anche TSMC, Rapidus e altri principali attori delle fonderie stanno accelerando le rispettive roadmap tecnologiche da 1 nm, aumentando la competizione globale sui processi avanzati.

Miglioramento del rendimento dei 2 nm, attese di maggiore redditività

Secondo le fonti riportate da "The Korea Economic Daily", il rendimento del processo a 2 nm di Samsung ha ora superato il 60%, con l’efficienza produttiva drasticamente migliorata considerata il fattore chiave per il ritorno alla redditività della divisione foundry nel corso dell’anno. L’incremento del rendimento implica un maggior numero di chip utilizzabili per ogni wafer prodotto, riducendo direttamente il costo unitario e rafforzando notevolmente il potere negoziale di Samsung in un mercato delle fonderie altamente competitivo.

Per rafforzare ulteriormente la propria base clienti, Samsung sta ampliando attivamente la gamma di varianti del processo a 2 nm. L’azienda sta sviluppando il processo SF2T su misura per il chip AI da 2 nm di Tesla, "AI6", con la produzione di massa pianificata nel 2027 presso lo stabilimento di Taylor, Texas.

Per quanto riguarda le altre varianti, il processo SF2P sarà applicato dal 2026 ai processori per le prossime generazioni di smartphone prodotti dalla divisione System LSI di Samsung; la versione potenziata SF2P+ dovrebbe invece essere introdotta nel 2027. Costruendo una matrice tecnologica in funzione di diversi scenari applicativi, Samsung mira a soddisfare la domanda che spazia dal mobile computing all’AI inference, rafforzando così il proprio appeal verso i principali clienti.

Verso 1 nm: architettura forksheet come pilastro tecnologico fondamentale

Nella roadmap tecnologica verso 1 nm, Samsung prevede di implementare l’architettura forksheet per superare i limiti fisici della tecnologia Gate-All-Around (GAA) attuale. La GAA consente al flusso di elettroni di attraversare i quattro lati del canale del transistor, migliorando significativamente l’efficienza energetica rispetto alla soluzione tradizionale a tre lati, e viene già utilizzata da Samsung nei processi a 2 nm.

L’architettura forksheet consente di diminuire ulteriormente lo spazio tra i transistor GAA—introducendo pareti isolanti tra i transistor, in modo simile a sostituire spazi vuoti tra case con pareti solide—per aumentare la densità di integrazione, contenendo più transistor nella stessa superficie di chip. È interessante notare che anche TSMC prevede di usare la struttura forksheet per i processi da 1 nm dopo il 2030, il che indica che Samsung potrebbe competere alla pari con il leader del settore sul fronte delle tecnologie chiave.

Si intensifica la corsa globale ai 1 nm, TSMC e Rapidus accelerano la pianificazione

Samsung non è l’unica fonderia a puntare sulla tecnologia a 1 nm. Secondo quanto riporta "Nikkei XTech", Kazunari Ishimaru, Chief Technology Officer di Rapidus, ha dichiarato che l’azienda punta a ridurre il gap tecnologico con TSMC a circa sei mesi nel nodo a 1 nm .Rapidus intende avviare la ricerca e sviluppo sui processi a 1,4 nm nel 2026, con l’obiettivo di produzione di massa intorno al 2029.

TSMC, invece, è ancora più avanti. Il processo a 1 nm di TSMC dovrebbe essere lanciato inizialmente nel Central Taiwan Science Park, con il primo stabilimento previsto in test di produzione già alla fine del 2027 e una produzione di massa nella seconda metà del 2028. Se TSMC rispetterà questa tempistica, avrà circa due anni di vantaggio su Samsung. Tuttavia, con il rendimento dei 2 nm in costante miglioramento e una roadmap a 1 nm sempre più chiara, la strategia di Samsung per colmare il gap con TSMC si fa sempre più concreta.