Samsung Electronics podwoi w przyszłym roku produkcję HBM4 i HBM4E.

Oczekuje się, że w przyszłym roku produkcja serii HBM4 firmy Samsung Electronics osiągnie co najmniej dwukrotność tegorocznego poziomu, obejmując szóstą generację pamięci o wysokiej przepustowości (HBM4) oraz siódmą generację HBM (HBM4E). Wcześniej firma planowała zwiększyć zapotrzebowanie na „szklane podłoża” do 2,5-krotności tegorocznej ilości. Szklane podłoże to szkło wykorzystywane jako nośnik do podtrzymywania wafli podczas procesu ścieńczania DRAM używanych w HBM.

Zgodnie z informacjami z branży półprzewodników z 20 dnia miesiąca, Samsung Electronics zwiększy zlecenia outsourcingowe na mycie szklanych podłoży — kluczowych w produkcji HBM — z 20 000 sztuk miesięcznie w tym roku do 50 000 sztuk miesięcznie w przyszłym roku. W zeszłym roku potrzeba było jedynie 10 000 szklanych podłoży miesięcznie, co oznacza, że tegoroczna ilość to dwukrotność zeszłorocznej, zaś w przyszłym roku osiągnie 2,5-krotność obecnej ilości.

Szklane podłoże to tymczasowy nośnik mocowany do spodniej warstwy wafla DRAM przeznaczonego do HBM, mający zapobiegać wypaczeniom lub pęknięciom podczas procesu szlifowania i wiercenia. Ponieważ HBM wymaga układania wielu cienkich wafli DRAM w ograniczonej grubości, wraz ze wzrostem liczby warstw rośnie też znaczenie technologii ścieńczania i kontroli wypaczeń.

Samsung Electronics skupia się na rozbudowie produkcji HBM4 i HBM4E, koncentrując się na produktach z układaniem powyżej 12 warstw (12-High i więcej). Analitycy branżowi uważają, że nawet przy powtórnym wykorzystaniu szklanych podłoży po czyszczeniu oraz uwzględnieniu zmienności ilości używanej w zależności od procesów i wydajności produkcji, wzrost ilości tych komponentów do 2,5-krotności oznacza, że produkcja HBM4 i HBM4E najprawdopodobniej osiągnie co najmniej dwukrotność tegorocznej wartości.

W lutym tego roku Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję i dostawy HBM4, wykorzystując DRAM szóstej generacji w technologii 10nm (1c) oraz podstawowe „gołe” płytki wytwarzane w technologii 4nm (nm oznacza nanometr, czyli jedną miliardową metra). W maju firma dostarczyła próbki HBM4E 12-High klientom, w tym NVIDIA.

Według prognoz branżowych, liczba wafli wykorzystywanych miesięcznie w produkcji HBM Samsung Electronics wzrośnie z około 180 000 w tym roku do około 250 000 w przyszłym roku, co stanowi wzrost o niemal 40%. Jeśli chodzi o udział procentowy dostaw poszczególnych produktów, przewiduje się również, że dzięki pełnej produkcji HBM4E, udział serii HBM4 wzrośnie z około 40% obecnie do około 80% w przyszłym roku. Przedstawiciel branży tłumaczy: „Wraz z rozszerzeniem produkcji HBM przez Samsung Electronics, firma najwyraźniej stawia produkty o wysokiej wartości dodanej, takie jak HBM4, w centrum swojej oferty.”